蚀刻是从材料表面去除材料的过程，蚀刻的两种主要类型是湿蚀刻和干蚀刻（例如，等离子体蚀刻），涉及使用液体化学药品或蚀刻剂去除基板材料的蚀刻工艺称为湿蚀刻，通常所指金属蚀刻加工也被称为化学蚀刻加工，通过制版，经过曝光（紫外线图像转移）到金属上面，将图案显影后，将要蚀刻的保护层去掉，在蚀刻过程中接触化学药水，让两面的图案通过化学腐蚀研磨的作用，形成凹凸和镂空成形的效果，金属蚀刻加工具有很强的针对性的工艺。
当反应发生时，材料以类似于向下蚀刻的速度被横向移除，湿化学蚀刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因为液体蚀刻剂可以渗透到掩模下面，如果方向性对于高分辨率图案转移非常重要，通常禁止湿法化学蚀刻工艺，湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层，湿法刻蚀是半导体制造，微机械和微流控设备中的重要过程，需要微尺度的特征来优化性能或创建层流态，这在宏观上几乎是不可能获得的，由于能够通过改变蚀刻剂浓度和蚀刻时间来轻松控制z轴蚀刻，因此常用于分层应用。
缺点包括许多化学废物，其中许多是高酸性和多步过程，在蚀刻之前，需要掩盖衬底的区域以获得器件所需的详细功能，在称为光刻的过程中，将光敏光刻胶旋涂到晶圆上，然后将晶片预烘烤以除去光刻胶中多余的溶剂，然后将具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蚀剂的顶部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蚀剂，当将腐蚀剂（一种腐蚀性化学品）施加到被掩膜的晶圆上时，在所有方向上未被掩膜覆盖的区域中，蚀刻会以相同的速率发生，从而产生倒圆的边缘。
